
황성우 (黃晟寓)
공학부 정회원
학력
1985 서울대학교 학사
1987 서울대학교 석사
1993 Princeton University 박사
연구분야
나노 전자소자 분야를 이끄는 연구자로서 그래핀 등 나노 신소재를 반도체 공정 및 소자에 적용하기 위한 연구를 주도해왔으며, 특히 게르마늄 위 단결정 그래핀을 웨이퍼 레벨로 성장시키는데 성공하여(Science 게재) 최초의 단일 원자층 2D 물질의 반도체 적용 실현가능성을 열었음
경력
1993~1995 일본 NEC 기초연구소 Research Fellow
1995~2012 고려대학교 전기전자전파공학부 교수
2007~2016 과학기술정보통신부 (창의적연구진흥사업) 타임도메인 나노기능소자연구단장
2012~2014 삼성전자 종합기술원 Frontier Research Lab장(전무)
2014~2015 삼성전자 종합기술원 Device Lab장(전무)
2015~2016 삼성전자 종합기술원 Device & System 연구센터장(전무)
2017~2018 삼성전자 종합기술원 Device & System 연구센터장(부사장)
2017~2019 삼성전자 종합기술원 부원장
2017 삼성미래기술육성재단 이사
2019~ 2020 삼성전자 종합기술원 원장
2020~현재 삼성SDS 대표이사 사장
수상
2016 산업통상자원부 장관 표창(나노기술 발전 공로)